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讓你暢玩游戲 五款DDR3 2000內(nèi)存推薦

時間:2010年11月4日
    核心提示:三通道的設(shè)計適合X58主板的用戶選擇,這款內(nèi)存融入了承啟扎實嚴謹?shù)娘L(fēng)格,力求給消費者提供穩(wěn)定,性能卓越的內(nèi)存產(chǎn)品。這款低電壓,高速率的內(nèi)存一定非常適合您超頻使用,終生固保,感興趣的朋友可以進入服務(wù)器托管網(wǎng)站看一看,可以讓你了解更多你想了解的知識。
第1頁:頂級品質(zhì) 承啟6GB DDR3 2000套裝
  11月4日 對于喜歡玩游戲的朋友們來說,要想欣賞到這些游戲大作中精美畫面和特效的同時還能讓游戲流暢的運行,僅靠處理器和顯卡是不行的,選擇一款具備高性能和高頻率的內(nèi)存也是提升游戲流暢運行的關(guān)鍵。
  隨著DDR3制程技術(shù)的革新,1600MHz、1866MHz甚至是2000MH頻率內(nèi)存都已經(jīng)出現(xiàn),它可以極大的滿足超頻愛好者與游戲發(fā)燒友對于外頻的欲望,今天我們就為大家推薦一款承啟6GB DDRIII 2000套裝,售價僅1349元,高端用戶不妨多留意下。  
  
  承啟這款內(nèi)存加入了梳子形狀的散熱片散熱,大大增加了散熱面積,提供了散熱的效率;具有很好的超頻效果。超頻時所產(chǎn)生的熱量通過散熱片能夠很快的散發(fā)掉! 
   
  三通道的設(shè)計適合X58主板的用戶選擇,這款內(nèi)存融入了承啟扎實嚴謹?shù)娘L(fēng)格,力求給消費者提供穩(wěn)定,性能卓越的內(nèi)存產(chǎn)品。有興趣的玩家可以到市場上看看,承啟(Chaintech) 6GB DDR3 2000 三通道套裝。
  秉持質(zhì)量至上的原則,除堅持采用原廠顆粒外,以獨特的顆粒篩選技術(shù),不僅確保顆粒質(zhì)量及穩(wěn)定性,同時從兼容性驗證到出貨測試等細項步驟無一不是堅持層層嚴謹?shù)陌殃P(guān),質(zhì)量受到消費者肯定。此外,內(nèi)存模塊同樣披覆風(fēng)格獨特的X型字樣的散熱片,并搭配高傳導(dǎo)系數(shù)之導(dǎo)熱膠與顆粒緊密接觸,除提升整體散熱效能外,更增添Xtreem系列的獨特飆速風(fēng)格! 
  
  在容量方面,除為滿足重度玩家的6GB(3x2GB)套裝,同時也有3GB套裝(3*1GB)供玩家搭配,是超頻達人們參與各項超頻競賽不可或缺的最佳伙伴。十銓(Team Group INC) Xtreem TXD36144M2000HC9TC 3*2G套裝。
  
第3頁:極速 金士頓6GB DDR3 2000內(nèi)存套裝
  
  金士頓的HyperX系列是專為高端以及發(fā)燒玩家而推出的產(chǎn)品,而在Core i7平臺上,三通道DDR3所帶來的高頻率以及高帶寬一直是我們所關(guān)注的,而金士頓的DDR3 HyperX三通道系列內(nèi)存擁有著先進的技術(shù)。而我們今天要介紹的正是一款HyperX DDR3-2000MHz三通道產(chǎn)品,默認頻率就能達到如此高,的確讓我們感到很驚訝! vps主機
  
                                 3通道套裝
  金士頓駭客神條高端超頻內(nèi)存由于將采用新款T1散熱器,因此命名為T1系列,高出原版內(nèi)存條很多的散熱器采用了命名為HTX的技術(shù),它能將熱量從PCB和內(nèi)存顆粒帶到上方,通過散熱鰭片散發(fā)出去,保證內(nèi)存在低溫下運行方便玩家超頻。它針對XMP的優(yōu)化,CL 設(shè)置9-9-9-27,PC3傳輸標(biāo)準(zhǔn)為2000! 
  
                              密集的散熱片
  這款內(nèi)存延續(xù)了F3-16000CL9T-6GBTD的外觀設(shè)計,它的主頻為2000MHz,是一套單條2GB的三通道套裝,加起來一共有6GB,采用的還是ELPIDA顆粒,低延遲時間設(shè)定為9(CL), 9 (TRCD),9 (TRP), 27(TRAS)!  游戲服務(wù)器租用
  
  
       
這款低電壓,高速率的內(nèi)存一定非常適合您超頻使用,終生固保! 
    
  i7平臺專用
  這款內(nèi)存PCB采用了傳統(tǒng)的綠色PCB,內(nèi)存的超頻性能相當(dāng)強悍。內(nèi)存搭配的散熱片外表經(jīng)過了磨砂處理,與空氣接觸的表面積更大,具有更好的散熱效果。這套內(nèi)存專為i7平臺設(shè)計! 
    
  8層PCB設(shè)計  
  
  內(nèi)存標(biāo)簽,內(nèi)存由128MBx8高階顆粒所構(gòu)成,采用了8層PCB的設(shè)計。內(nèi)存參數(shù)為CL 9-9-9-24,電壓為1.6V。

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