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IBM可能會(huì)選擇更便宜的DRAM

時(shí)間：2016年8月5日

DRAM一個(gè)更便宜的替代品只是把企業(yè)數(shù)據(jù)中心更近了一步，IBM推出了一個(gè)辦法使它更密集。

 PCM（相變存儲(chǔ)器）是為數(shù)不多的新興技術(shù)，目的是比Flash比DRAM便宜更快。他們可以以較低的成本給企業(yè)和消費(fèi)者更快地訪問(wèn)數(shù)據(jù)，但也有需要克服的挑戰(zhàn)，在這之前。密度是其中的一個(gè)，和IBM說(shuō)它取得了那個(gè)地區(qū)的一個(gè)新的高的一個(gè)版本，可容納三位PCM單元。這是百分之50以上的公司展示了2011與PCM一二位。更大的密度讓IBM擠出更多的能力在什么仍然是一個(gè)昂貴的技術(shù)。PCM運(yùn)一些產(chǎn)品，但在一個(gè)相對(duì)較小的規(guī)模。這個(gè)迭代可能做的伎倆使PCM更廣泛的成功，到目前為止，它仍然比DRAM更貴，所以沒(méi)有太多的理由去使用它”。

 PCM通過(guò)玻璃一樣的物質(zhì)從非晶態(tài)向用電結(jié)晶形態(tài)變化。像NAND閃存，它使存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，當(dāng)一個(gè)設(shè)備被關(guān)閉，而DRAM不能做。但PCM反應(yīng)比閃存更快的數(shù)據(jù)請(qǐng)求：在小于一微秒，70微秒相比，根據(jù)IBM。它還持續(xù)超過(guò)Flash，至少1000萬(wàn)寫周期和3000周期的平均閃存的USB棒。三位PCM可以作為一種快速層存儲(chǔ)陣列內(nèi)，包括全閃存陣列，所以最常用的數(shù)據(jù)獲取應(yīng)用程序更快。它也可以采取很多系統(tǒng)中的DRAM，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)切割技術(shù)的成本一樣。消費(fèi)者可以從技術(shù)中獲益。例如，一個(gè)智能手機(jī)，其操作系統(tǒng)存儲(chǔ)在三位PCM可以啟動(dòng)，在短短的幾秒鐘。甜蜜點(diǎn)之間的內(nèi)存和閃存存儲(chǔ)是一個(gè)受歡迎的地方。英特爾和微米是針對(duì)它的三維公司采用疊層介質(zhì)。其他的新興技術(shù)包括RRAM（電阻RAM），MRAM（磁阻RAM）和憶阻器。


像3D公司，三位PCM能突破大規(guī)模成功通過(guò)一個(gè)芯片制造商的支持，英特爾正在與x86使三維公司工作，而IBM是PCM的電源架構(gòu)鋪平了道路。這種購(gòu)買是大規(guī)模生產(chǎn)的關(guān)鍵，它是推動(dòng)新技術(shù)的成本降低。IBM增加了兩個(gè)特征使PCM可能的新形式。一個(gè)是調(diào)整方式對(duì)所謂的“漂移”，可以逐步降低存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)能力的正確的價(jià)值觀。影響熱相變材料可以在系統(tǒng)正常可靠運(yùn)行的其他柜臺(tái)的溫度。另一個(gè)難題是如何讓數(shù)據(jù)處理器沒(méi)有放慢對(duì)數(shù)據(jù)的方式。IBM賭CAPI（相干加速器處理器接口），一個(gè)高速協(xié)議以電力為基礎(chǔ)的服務(wù)器。資本運(yùn)行的頂部的PCIe物理接口。

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